IXFH52N30Q

Купить со склада от 764,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH52N30Q@IXYS PDF даташит
IXFH52N30Q фото 1 IXFH52N30Q фото 1
IXFH52N30Q фото 2 IXFH52N30Q фото 2
IXFH52N30Q фото 3 IXFH52N30Q фото 3
IXFH52N30Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH52N30Q
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
300 V
Id - Continuous Drain Current
52 A
Rds On - Drain-Source Resistance
60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
25 ns
Forward Transconductance - Min
35 S
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Pd - Power Dissipation
360 W
Rise Time
60 ns
Series
IXFH52N30
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
80 ns
Typical Turn-On Delay Time
27 ns
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97188 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 764.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 335 шт.

IXFH52N30Q%40IXYS