IXFH52N30Q

Купить со склада от 670,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH52N30Q@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFH52N30Q фото 1 IXFH52N30Q фото 1
IXFH52N30Q фото 2 IXFH52N30Q фото 2
IXFH52N30Q фото 3 IXFH52N30Q фото 3
IXFH52N30Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH52N30Q
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
HiperFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
300
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
52
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
60@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
150@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
150
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
5300@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
360000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247AD
Package Family Name
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97188 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 670.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2626 шт.

IXFH52N30Q%40IXYS