IXFH26N60Q

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH26N60Q@IXYS PDF даташит
Аналоги товара:
IXFH26N60Q фото 1 IXFH26N60Q фото 1
IXFH26N60Q фото 2 IXFH26N60Q фото 2
IXFH26N60Q фото 3 IXFH26N60Q фото 3
IXFH26N60Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH26N60Q
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Single
Process Technology
HiperFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
600
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
26
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
250@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
150@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
150
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
5100@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
360000
Operating Temperature - (?C)
-55~150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247AD
Standard Package Name
TO-247
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97176 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 472 шт.

IXFH26N60Q%40IXYS