IXFH15N80

Купить со склада от 1124,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH15N80@IXYS PDF даташит
Аналоги товара:
IXFH15N80 фото 1 IXFH15N80 фото 1
IXFH15N80 фото 2 IXFH15N80 фото 2
IXFH15N80 фото 3 IXFH15N80 фото 3
IXFH15N80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH15N80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Id - Continuous Drain Current
15 A
Rds On - Drain-Source Resistance
600 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
32 ns
Forward Transconductance - Min
14 S
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
33 ns
Series
IXFH15N80
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
63 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97163 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1124.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 210 шт.

IXFH15N80%40IXYS