IXFH12N50F

Купить со склада от 804,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH12N50F@IXYS PDF даташит
Аналоги товара:
IXFH12N50F фото 1 IXFH12N50F фото 1
IXFH12N50F фото 2 IXFH12N50F фото 2
IXFH12N50F фото 3 IXFH12N50F фото 3
IXFH12N50F
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH12N50F
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerRFв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXFH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97151 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 804.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 156 шт.

IXFH12N50F%40IXYS