IXFH12N100

Купить со склада от 1039,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH12N100@IXYS PDF даташит
IXFH12N100 фото 1 IXFH12N100 фото 1
IXFH12N100 фото 2 IXFH12N100 фото 2
IXFH12N100 фото 3 IXFH12N100 фото 3
IXFH12N100
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH12N100
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFETв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97148 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1039.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 300 шт.

IXFH12N100%40IXYS