IXFA4N100Q

Купить со склада от 387,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFA4N100Q@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFA4N100Q фото 1 IXFA4N100Q фото 1
IXFA4N100Q фото 2 IXFA4N100Q фото 2
IXFA4N100Q фото 3 IXFA4N100Q фото 3
IXFA4N100Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFA4N100Q
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1000 V
Id - Continuous Drain Current
4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
18 ns
Height
4.83 mm
Length
10.41 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
15 ns
Series
IXFA4N100
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Width
9.65 mm
Unit Weight
0.056438 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97124 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 387.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 999 шт.

IXFA4N100Q%40IXYS