IXFA4N100Q

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 150Вт; TO263AA

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXFA4N100Q

Анализ рынка IXFA4N100Q@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXFA4N100Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFETв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (IXFA)
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 24-03-2024
IXFA4N100Q%40LITFUSE