IXDN55N120D1

Купить со склада от 1726,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXDN55N120D1@IXYS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IXDN55N120D1 фото 1 IXDN55N120D1 фото 1
IXDN55N120D1 фото 2 IXDN55N120D1 фото 2
IXDN55N120D1 фото 3 IXDN55N120D1 фото 3
IXDN55N120D1
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXDN55N120D1
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Configuration
Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227B-4
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current
100 A
Continuous Collector Current Ic Max
100 A
Height
9.6 mm
Length
38.23 mm
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Series
IXDN55N120
Factory Pack Quantity
10
Technology
Si
Width
25.42 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97106 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1726.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1140 шт.

IXDN55N120D1%40IXYS