IXBT42N170

Купить со склада от 1453,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXBT42N170@IXYS PDF даташит
IXBT42N170 фото 1 IXBT42N170 фото 1
IXBT42N170 фото 2 IXBT42N170 фото 2
IXBT42N170 фото 3 IXBT42N170 фото 3
IXBT42N170
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXBT42N170
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
BIMOSFET™
Packaging
Tube
Part Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700V
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 42A
Power - Max
360W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Gate Charge
188nC
Td (onoff) @ 25°C
-
Test Condition
-
Reverse Recovery Time (trr)
1.32µs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-268-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device Package
TO-268
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96982 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1453.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 932 шт.

IXBT42N170%40IXYS