IXBH42N170

Купить со склада от 1135,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXBH42N170@IXYS PDF даташит
IXBH42N170 фото 1 IXBH42N170 фото 1
IXBH42N170 фото 2 IXBH42N170 фото 2
IXBH42N170 фото 3 IXBH42N170 фото 3
IXBH42N170
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXBH42N170
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Pd - Power Dissipation
360 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current Ic Max
75 A
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Series
IXBH42N170
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Tradename
BIMOSFET
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96929 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1135.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 694 шт.

IXBH42N170%40IXYS