IXBH16N170

Купить со склада от 609,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXBH16N170@IXYS PDF даташит
IXBH16N170 фото 1 IXBH16N170 фото 1
IXBH16N170 фото 2 IXBH16N170 фото 2
IXBH16N170 фото 3 IXBH16N170 фото 3
IXBH16N170
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXBH16N170
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
BIMOSFET™
Packaging
Bulk
Part Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700V
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.3V @ 15V, 16A
Power - Max
250W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Gate Charge
72nC
Td (onoff) @ 25°C
-
Test Condition
-
Reverse Recovery Time (trr)
1.32µs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AD (IXBH)
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96923 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 609.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2667 шт.

IXBH16N170%40IXYS