IRLZ34N

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLZ34N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRLZ34N фото 1 IRLZ34N фото 1
IRLZ34N фото 2 IRLZ34N фото 2
IRLZ34N фото 3 IRLZ34N фото 3
IRLZ34N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLZ34N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
11 sec
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Resistance
0.06 Ω
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Maximum Gate Source Voltage
± 16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
68 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 25 nC &&64; 5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
880 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
8.9 ns
Typical TurnOff Delay Time
21 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96185 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 137294 шт.

IRLZ34N%40INFIN