IRLR3410

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR3410@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRLR3410 фото 1 IRLR3410 фото 1
IRLR3410 фото 2 IRLR3410 фото 2
IRLR3410 фото 3 IRLR3410 фото 3
IRLR3410
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR3410
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
800 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
17 A
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Gate Charge, Total
34 nC
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
DPAK
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
79 W
Resistance, Drain to Source On
0.155 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
30 ns
Time, Turn-On Delay
7.2 ns
Transconductance, Forward
7.7 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 34 nC &&64; 5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±16 V
Width
6.22 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96166 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 408481 шт.

IRLR3410%40INFIN