IRLR3410

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR3410@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRLR3410 фото 1 IRLR3410 фото 1
IRLR3410 фото 2 IRLR3410 фото 2
IRLR3410 фото 3 IRLR3410 фото 3
IRLR3410
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR3410
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
15 A
Rds On - Drain-Source Resistance
155 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
22.7 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
26 ns
Forward Transconductance - Min
7.7 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
52 W
Rise Time
53 ns
Factory Pack Quantity
1200
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
30 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.2 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96166 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 277076 шт.

IRLR3410%40INFIN