IRLR2705

Купить со склада от 13,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR2705@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRLR2705 фото 1 IRLR2705 фото 1
IRLR2705 фото 2 IRLR2705 фото 2
IRLR2705 фото 3 IRLR2705 фото 3
IRLR2705
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR2705
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Id - Continuous Drain Current
28 A
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Qg - Gate Charge
16.7 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
29 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
46 W
Rise Time
100 ns
Factory Pack Quantity
1200
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
8.9 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96161 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 13.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 363332 шт.

IRLR2705%40INFIN