IRLR120N

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR120N@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
1 грамм
IRLR120N фото 1 IRLR120N фото 1
IRLR120N фото 2 IRLR120N фото 2
IRLR120N фото 3 IRLR120N фото 3
IRLR120N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR120N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
3.1 sec
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Resistance
0.265 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
48 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 20 nC &&64; 5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
440 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
4 ns
Typical TurnOff Delay Time
23 ns
Width
6.22 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96158 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 419077 шт.

IRLR120N%40INFIN