IRLMS5703

Купить со склада от 4,44 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLMS5703@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRLMS5703 фото 1 IRLMS5703 фото 1
IRLMS5703 фото 2 IRLMS5703 фото 2
IRLMS5703 фото 3 IRLMS5703 фото 3
IRLMS5703
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLMS5703
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Quad Drain
Dimensions
3 x 1.75 x 1.45 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
1.1 S
Height
1.45 mm
Length
3 mm
Maximum Continuous Drain Current
-2.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.235 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-30 V
Maximum Gate Source Voltage
± 20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
Micro6
Pin Count
6
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
7.2 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
170 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
10 ns
Typical TurnOff Delay Time
20 ns
Width
1.75 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96150 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 4.44RUB руб. Купить

Доступное количество: 66106 шт.

IRLMS5703%40INFIN