IRLML6402

Купить со склада от 3,27 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLML6402@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRLML6402 фото 1 IRLML6402 фото 1
IRLML6402 фото 2 IRLML6402 фото 2
IRLML6402 фото 3 IRLML6402 фото 3
IRLML6402
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLML6402
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Dimensions
3.04 x 1.40 x 1.02 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
6 S
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Maximum Continuous Drain Current
-2.2 A
Maximum Drain Source Resistance
0.135 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-20 V
Maximum Gate Source Voltage
± 12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
Micro3
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC &&64; -5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
633 pF &&64; -10 V
Typical Turn On Delay Time
350 ns
Typical TurnOff Delay Time
588 ns
Width
1.4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96146 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 3.27RUB руб. Купить

Доступное количество: 7099799 шт.

IRLML6402%40INFIN