IRLML6401

Купить со склада от 3,55 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLML6401@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRLML6401 фото 1 IRLML6401 фото 1
IRLML6401 фото 2 IRLML6401 фото 2
IRLML6401 фото 3 IRLML6401 фото 3
IRLML6401
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLML6401
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
830 pF &&64; -10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
-3.4 A
Dimensions
3.04 x 1.40 x 1.02 mm
Gate Charge, Total
10 nC
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
Micro3
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
1.3 W
Resistance, Drain to Source On
0.085 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
32 ns
Time, Turn-On Delay
11 ns
Transconductance, Forward
8.6 S
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC &&64; -5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-12 V
Voltage, Diode Forward
-1.2 V
Voltage, Drain to Source
-12 V
Voltage, Forward, Diode
-1.2 V
Voltage, Gate to Source
± 8 V
Width
1.4 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96145 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 3.55RUB руб. Купить

Доступное количество: 2503003 шт.

IRLML6401%40INFIN