IRLML6302

Купить со склада от 3,88 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLML6302@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
IRLML6302 фото 1 IRLML6302 фото 1
IRLML6302 фото 2 IRLML6302 фото 2
IRLML6302 фото 3 IRLML6302 фото 3
IRLML6302
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLML6302
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
97 pF &&64; -15 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
-0.62 A
Dimensions
3.04 x 1.40 x 1.02 mm
Gate Charge, Total
2.4 nC
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
Micro3
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
540 W
Resistance, Drain to Source On
0.9 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
230 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
22 ns
Time, Turn-On Delay
13 ns
Transconductance, Forward
0.56 S
Typical Gate Charge @ Vgs
2.4 nC &&64; -4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-20 V
Voltage, Diode Forward
-1.2 V
Voltage, Drain to Source
-20 V
Voltage, Forward, Diode
-1.2 V
Voltage, Gate to Source
± 12 V
Width
1.4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96143 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 3.88RUB руб. Купить

Доступное количество: 1507922 шт.

IRLML6302%40INFIN