IRLML5103

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLML5103@INFIN PDF даташит
IRLML5103 фото 1 IRLML5103 фото 1
IRLML5103 фото 2 IRLML5103 фото 2
IRLML5103 фото 3 IRLML5103 фото 3
IRLML5103
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLML5103
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
75 pF &&64; -25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
-0.61 A
Dimensions
3.04 x 1.40 x 1.02 mm
Gate Charge, Total
3.4 nC
Height
1.02 mm
Length
3.04 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
SOT-23
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
540 W
Resistance, Drain to Source On
0.6 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
23 ns
Time, Turn-On Delay
10 ns
Transconductance, Forward
0.44 S
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC &&64; -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-30 V
Voltage, Diode Forward
-1.2 V
Voltage, Drain to Source
-30 V
Voltage, Forward, Diode
-1.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
1.4 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96140 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1045319 шт.

IRLML5103%40INFIN