IRLL014N

Купить со склада от 9,38 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLL014N@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRLL014N фото 1 IRLL014N фото 1
IRLL014N фото 2 IRLL014N фото 2
IRLL014N фото 3 IRLL014N фото 3
IRLL014N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLL014N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
6.70 x 3.70 x 1.45 mm
Forward Diode Voltage
1 V
Forward Transconductance
2.3 S
Height
1.45 mm
Length
6.7 mm
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Resistance
0.28 Ω
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SOT-223
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
230 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
5.1 ns
Typical TurnOff Delay Time
14 ns
Width
3.7 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96124 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 9.38RUB руб. Купить

Доступное количество: 792824 шт.

IRLL014N%40INFIN