IRL520NS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRL520NS@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
IRL520NS фото 1 IRL520NS фото 1
IRL520NS фото 2 IRL520NS фото 2
IRL520NS фото 3 IRL520NS фото 3
IRL520NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRL520NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
10 A
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
3.1 S
Gate Charge, Total
20 nC
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Resistance
0.26 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
48 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
48 W
Resistance, Drain to Source On
0.18 Ohm
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
23 ns
Time, Turn-On Delay
4 ns
Transconductance, Forward
3.1 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 20 nC &&64; 5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
440 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
4 ns
Typical TurnOff Delay Time
23 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±16 V
Width
9.65 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96096 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 45986 шт.

IRL520NS%40INFIN