IRL3103S

Купить со склада от 29,40 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRL3103S@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRL3103S фото 1 IRL3103S фото 1
IRL3103S фото 2 IRL3103S фото 2
IRL3103S фото 3 IRL3103S фото 3
IRL3103S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRL3103S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
64 A
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
22 S
Gate Charge, Total
33 nC
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
94 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
94 W
Resistance, Drain to Source On
12 Milliohms
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
14 ns
Time, Turn-On Delay
8.9 ns
Transconductance, Forward
22 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 33 nC &&64; 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1650 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
8.9 ns
Typical TurnOff Delay Time
14 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30 V
Voltage, Forward, Diode
1.2 V
Voltage, Gate to Source
±16 V
Width
9.65 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96080 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 29.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 7845 шт.

IRL3103S%40INFIN