IRL3103S

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 64А, 110Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRL3103S

Анализ рынка IRL3103S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRL3103S

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
64 A
Rds On - Drain-Source Resistance
16 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Qg - Gate Charge
22 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Cut Tape
Packaging
Reel
Packaging
MouseReel
Brand
Infineon IR
Fall Time
9.1 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
110 W
Rise Time
120 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Typical Turn-On Delay Time
8.9 ns
Width
6.22 mm
Part # Aliases
SP001552534
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 20-04-2024
IRL3103S%40INFIN