IRL2910S

Купить со склада от 57,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRL2910S@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
2 грамм
IRL2910S фото 1 IRL2910S фото 1
IRL2910S фото 2 IRL2910S фото 2
IRL2910S фото 3 IRL2910S фото 3
IRL2910S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRL2910S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
55 A
Rds On - Drain-Source Resistance
26 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Qg - Gate Charge
93.3 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
55 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
3.8 W
Rise Time
100 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
49 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Width
6.22 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96076 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 57.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 63905 шт.

IRL2910S%40INFIN