IRG4PF50WD
Купить со склада от 3229,00 рубБиполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
7.24 грамм
Анализ рынка IRG4PF50WD@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
15
1
от 1
3 229,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IRG4PF50WD
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Package Type
TO-247AC
Rad Hardened
No
Pin Count
3 +Tab
Packaging
RailTube
Collector-Emitter Voltage
900(V)
Mounting
Through Hole
Operating Temperature Classification
Military
Configuration
Single
Operating Temperature (Max)
150C
Channel Type
N
Gate to Emitter Voltage (Max)
\'±20(V)
Operating Temperature (Min)
-55C
Collector Current (DC)
51(A)
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95838
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 3229.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 1 шт.
IRG4PF50WD%40INFIN