IRG4PF50W

Купить со склада от 874,00 руб

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
7.875 грамм
IRG4PF50W

Анализ рынка IRG4PF50W@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
44
от 19
930,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
1-2
44
от 19
930,00 p

Технические характеристики IRG4PF50W

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Design Resources
IRG4PF50WPBF Saber ModelIRG4PF50WPBF Spice Model
Standard Package
25
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
IGBTs - Single
Series
-
Packaging
Bulk
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900V
Current - Collector (Ic) (Max)
51A
Current - Collector Pulsed (Icm)
204A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 28A
Power - Max
200W
Switching Energy
190µJ (on), 1.06mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
160nC
Td (onoff) @ 25°C
29ns110ns
Test Condition
720V, 28A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Package Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Online Catalog
Standard IGBTs
Other Names
*IRG4PF50WPBF
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95837 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 874.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 181 шт.

IRG4PF50W%40INFIN