IRG4PC30FD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IRG4PC30FD

Анализ рынка IRG4PC30FD@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRG4PC30FD

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Package Case
TO-247-3
Mounting Style
Through Hole
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
31 A
Pd - Power Dissipation
100 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Tube
Brand
Infineon Technologies
Height
20.7 mm (Max)
Length
15.87 mm (Max)
Factory Pack Quantity
200
Technology
Si
Width
5.31 mm (Max)
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 19-04-2024
IRG4PC30FD%40INFIN