IRFZ48V

Купить со склада от 30,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFZ48V@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFZ48V фото 1 IRFZ48V фото 1
IRFZ48V фото 2 IRFZ48V фото 2
IRFZ48V фото 3 IRFZ48V фото 3
IRFZ48V
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFZ48V
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Forward Diode Voltage
2 V
Forward Transconductance
35 S
Height
16.51 mm
Length
10.66 mm
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 110 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1985 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
7.6 ns
Typical TurnOff Delay Time
157 ns
Width
4.82 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95764 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 30.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 51528 шт.

IRFZ48V%40INFIN