IRFZ48NS

Купить со склада от 24,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFZ48NS@INFIN PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRFZ48NS фото 1 IRFZ48NS фото 1
IRFZ48NS фото 2 IRFZ48NS фото 2
IRFZ48NS фото 3 IRFZ48NS фото 3
IRFZ48NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFZ48NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
64
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83
Forward Diode Voltage
1.3
Forward Transconductance
24
Gate Charge, Total
81
Height
4.83
Length
10.67
Maximum Continuous Drain Current
64
Maximum Drain Source Resistance
14
Maximum Drain Source Voltage
55
Maximum Gate Source Voltage
±20
Maximum Operating Temperature
+175
Maximum Power Dissipation
130
Minimum Operating Temperature
-55
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
130
Resistance, Drain to Source On
14
Temperature, Operating, Maximum
+175
Temperature, Operating, Minimum
-55
Time, Turn-Off Delay
34
Time, Turn-On Delay
12
Transconductance, Forward
24
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1970 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
12
Typical TurnOff Delay Time
34
Voltage, Breakdown, Drain to Source
55
Voltage, Forward, Diode
1.3
Voltage, Gate to Source
±20
Width
9.65
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95762 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 24.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 25765 шт.

IRFZ48NS%40INFIN