IRFZ46NS

Купить со склада от 56,30 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFZ46NS@INFIN PDF даташит
IRFZ46NS фото 1 IRFZ46NS фото 1
IRFZ46NS фото 2 IRFZ46NS фото 2
IRFZ46NS фото 3 IRFZ46NS фото 3
IRFZ46NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFZ46NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1696pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 28A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95758 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 56.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 23655 шт.

IRFZ46NS%40INFIN