IRFZ46N

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFZ46N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFZ46N фото 1 IRFZ46N фото 1
IRFZ46N фото 2 IRFZ46N фото 2
IRFZ46N фото 3 IRFZ46N фото 3
IRFZ46N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFZ46N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
1696 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
53 A
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Gate Charge, Total
72 nC
Height
16.51 mm
Length
10.66 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
107 W
Resistance, Drain to Source On
16.5 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
52 ns
Time, Turn-On Delay
14 ns
Transconductance, Forward
19 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 72 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
55 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
55 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
± 20 V
Width
4.82 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95756 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 28583 шт.

IRFZ46N%40INFIN