IRFZ34NS

Купить со склада от 89,30 руб

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 29А, 68Вт, D2PAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
1.7714 грамм
IRFZ34NS

Анализ рынка IRFZ34NS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
3200
от 2400
117,00 p
Склад
26
4338
от 2400
124,00 p
Склад
28
7670
от 4800
125,00 p
Склад
1-2
119
от 100
95,90 p
Склад
1-2
80
от 30
89,30 p
Склад
27
2400
от 2400
117,00 p

Технические характеристики IRFZ34NS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Id - Continuous Drain Current
29 A
Rds On - Drain-Source Resistance
40 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
34 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Cut Tape
Packaging
Reel
Packaging
MouseReel
Brand
Infineon IR
Fall Time
40 ns
Forward Transconductance - Min
6.5 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
68 W
Rise Time
49 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
31 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95747 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 89.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 24508 шт.

IRFZ34NS%40INFIN