IRFZ34N

Купить со склада от 30,80 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 26А; 56Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3.2364 грамм
IRFZ34N

Анализ рынка IRFZ34N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
57
от 57
66,00 p
Склад
1-2
629
от 450
32,80 p
Склад
26
57111
от 10000
72,90 p
Склад
27
9174
от 5000
69,20 p
Склад
27
1763
от 1000
61,40 p
Склад
34
8221
от 1000
42,70 p

Технические характеристики IRFZ34N

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95745 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 30.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 169560 шт.

IRFZ34N%40INFIN