IRFU220N

Купить со склада от 17,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFU220N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRFU220N фото 1 IRFU220N фото 1
IRFU220N фото 2 IRFU220N фото 2
IRFU220N фото 3 IRFU220N фото 3
IRFU220N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFU220N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET Series
Capacitance, Input
300 pF @ 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
5 A
Dimensions
6.73 x 2.39 x 6.22 mm
Gate Charge, Total
15 nC
Height
6.22 mm
Length
6.73 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
I-PAK
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
43 W
Resistance, Drain to Source On
600 mΩ
Resistance, Thermal, Junction to Case
3.5 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
20 ns
Time, Turn-On Delay
6.4 ns
Transconductance, Forward
2.6 S
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
200 V
Voltage, Drain to Source
200 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
&&177;20 V
Width
0.094" (2.39mm)
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95692 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 17.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 51016 шт.

IRFU220N%40INFIN