IRFU13N20D

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IRFU13N20D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRFU13N20D фото 1 IRFU13N20D фото 1
IRFU13N20D фото 2 IRFU13N20D фото 2
IRFU13N20D фото 3 IRFU13N20D фото 3
IRFU13N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFU13N20D
Category
Power MOSFET
Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?30
Maximum Continuous Drain Current - (A)
13
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
235@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
25@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
25
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
830@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
110000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
IPAK
Package Family Name
TO-251
Standard Package Name
TO-251
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-09 07:16:05

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IRFU13N20D%40INFIN