IRFU120N

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFU120N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
1 грамм
IRFU120N фото 1 IRFU120N фото 1
IRFU120N фото 2 IRFU120N фото 2
IRFU120N фото 3 IRFU120N фото 3
IRFU120N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFU120N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HEXFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
9.4
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
210@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
25(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
25(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
330@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
48000
Operating Temperature - (?C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
IPAK
Standard Package Name
TO-251
Life Cycle
Obsolete
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95685 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 44078 шт.

IRFU120N%40INFIN