IRFS59N10D

Купить со склада от 64,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFS59N10D@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFS59N10D фото 1 IRFS59N10D фото 1
IRFS59N10D фото 2 IRFS59N10D фото 2
IRFS59N10D фото 3 IRFS59N10D фото 3
IRFS59N10D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFS59N10D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Family
IRFS59N10
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59A
Maximum Drain Source Resistance
0.025Ohm@10V
Maximum Drain Source Voltage
100V
Category
Power MOSFET
Maximum Gate Source Voltage
±30V
Typical Fall Time
12ns
Typical Gate Charge @ Vgs
76nC@10V
Typical Input Capacitance @ Vds
2450pF@25V
Typical Rise Time
90ns
Typical Turn-Off Delay Time
20ns
Typical Turn-On Delay Time
16ns
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Mounting
Surface Mount
Pin_Count
3
Supplier_Package
D2PAK
Product Width
9.65mm(Max)
Product Height
4.83mm(Max)
Product Length
10.67mm(Max)
Product Type
MOSFET
Configuration
Single
Maximum Power Dissipation
3800mW
Number of Elements per Chip
1
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95659 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 64.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 24314 шт.

IRFS59N10D%40INFIN