IRFR9N20D

Купить со склада от 21,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR9N20D@INFIN PDF даташит
IRFR9N20D фото 1 IRFR9N20D фото 1
IRFR9N20D фото 2 IRFR9N20D фото 2
IRFR9N20D фото 3 IRFR9N20D фото 3
IRFR9N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR9N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
9.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
380 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
18 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
9.3 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
86 W
Rise Time
16 ns
Factory Pack Quantity
975
Transistor Type
1 N-Channel
Type
Smps Mosfet
Typical Turn-Off Delay Time
13 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.5 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95644 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 21.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 72134 шт.

IRFR9N20D%40INFIN