IRFR5505

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR5505@INFIN PDF даташит
IRFR5505 фото 1 IRFR5505 фото 1
IRFR5505 фото 2 IRFR5505 фото 2
IRFR5505 фото 3 IRFR5505 фото 3
IRFR5505
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR5505
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 55 V
Id - Continuous Drain Current
- 18 A
Rds On - Drain-Source Resistance
110 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
21.3 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
16 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
57 W
Rise Time
28 ns
Factory Pack Quantity
1350
Transistor Type
1 P-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95628 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 323544 шт.

IRFR5505%40INFIN