IRFR5410

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR5410@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
1 грамм
IRFR5410 фото 1 IRFR5410 фото 1
IRFR5410 фото 2 IRFR5410 фото 2
IRFR5410 фото 3 IRFR5410 фото 3
IRFR5410
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR5410
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET Series
Capacitance, Input
760 pF @ -25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
-13 A
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Gate Charge, Total
58 nC
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
DPAK
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
66 W
Resistance, Drain to Source On
0.205 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
45 ns
Time, Turn-On Delay
15 ns
Transconductance, Forward
3.2 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 58 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-100 V
Voltage, Drain to Source
-100 V
Voltage, Forward, Diode
-1.6 V
Voltage, Gate to Source
&&177;20 V
Width
0.245" (6.22mm)
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95627 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 125635 шт.

IRFR5410%40INFIN