IRFR4105

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR4105@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRFR4105 фото 1 IRFR4105 фото 1
IRFR4105 фото 2 IRFR4105 фото 2
IRFR4105 фото 3 IRFR4105 фото 3
IRFR4105
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR4105
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
27
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
45@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
34(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
34(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
700@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
68000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
DPAK
Package Family Name
TO-252
Standard Package Name
TO-252
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95623 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 313094 шт.

IRFR4105%40INFIN