IRFR3910

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR3910@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRFR3910 фото 1 IRFR3910 фото 1
IRFR3910 фото 2 IRFR3910 фото 2
IRFR3910 фото 3 IRFR3910 фото 3
IRFR3910
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR3910
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET Series
Capacitance, Input
640 pF @ 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
16 A
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Gate Charge, Total
44 nC
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
DPAK
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
79 W
Resistance, Drain to Source On
0.115 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
37 ns
Time, Turn-On Delay
6.4 ns
Transconductance, Forward
6.4 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 44 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
&&177;20 V
Width
0.245" (6.22mm)
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95622 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 334733 шт.

IRFR3910%40INFIN