IRFR3411

Купить со склада от 21,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR3411@INFIN PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRFR3411 фото 1 IRFR3411 фото 1
IRFR3411 фото 2 IRFR3411 фото 2
IRFR3411 фото 3 IRFR3411 фото 3
IRFR3411
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR3411
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
1960 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
32 A
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.26 mm
Gate Charge, Total
48 nC
Height
2.26 mm
Length
6.73 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
DPAK
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
130 W
Resistance, Drain to Source On
44 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
39 ns
Time, Turn-On Delay
11 ns
Transconductance, Forward
21 sec
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.2 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
6.22 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95614 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 21.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 43402 шт.

IRFR3411%40INFIN