IRFR1N60A

Купить со склада от 20,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF IRFR1N60A@VISHAY PDF даташит
IRFR1N60A фото 1 IRFR1N60A фото 1
IRFR1N60A фото 2 IRFR1N60A фото 2
IRFR1N60A фото 3 IRFR1N60A фото 3
IRFR1N60A
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR1N60A
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252AA-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V to 4 V
Qg - Gate Charge
14 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single
Fall Time
20 ns
Forward Transconductance - Min
0.88 S
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Pd - Power Dissipation
36 W
Rise Time
14 ns
Series
IRFSIHRx1N60A
Factory Pack Quantity
2000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
18 ns
Typical Turn-On Delay Time
9.8 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.050717 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95597 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 20.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 69969 шт.

IRFR1N60A%40VISHAY