IRFR18N15D

Купить со склада от 24,20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR18N15D@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFR18N15D фото 1 IRFR18N15D фото 1
IRFR18N15D фото 2 IRFR18N15D фото 2
IRFR18N15D фото 3 IRFR18N15D фото 3
IRFR18N15D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR18N15D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
International Rectifier
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
18 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Rds On - Drain-Source Resistance
125 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5.5 V
Qg - Gate Charge
28 nC
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
110 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
DPAK-3
Packaging
Tube
Brand
International Rectifier
Channel Mode
Enhancement
Ciss - Input Capacitance
900 pF
Configuration
Single
Fall Time
9.8 ns
Forward Transconductance - Min
4.2 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
25 ns
Factory Pack Quantity
75
Typical Turn-Off Delay Time
15 ns
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95596 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 24.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 53097 шт.

IRFR18N15D%40INFIN