IRFR024N

Купить со склада от 12,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR024N@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFR024N фото 1 IRFR024N фото 1
IRFR024N фото 2 IRFR024N фото 2
IRFR024N фото 3 IRFR024N фото 3
IRFR024N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR024N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
4.5 sec
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Resistance
0.075 Ω
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
45 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 20 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
370 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
4.9 ns
Typical TurnOff Delay Time
19 ns
Width
6.22 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95583 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 12.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 264159 шт.

IRFR024N%40INFIN