IRFPS3810

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFPS3810@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
10 грамм
IRFPS3810 фото 1 IRFPS3810 фото 1
IRFPS3810 фото 2 IRFPS3810 фото 2
IRFPS3810 фото 3 IRFPS3810 фото 3
IRFPS3810
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFPS3810
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
16.1 x 5.3 x 20.8 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
52 S
Height
20.8 mm
Length
16.1 mm
Maximum Continuous Drain Current
170 A
Maximum Drain Source Resistance
0.009 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
± 30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
580 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
Super-247
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
260 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
6790 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
24 ns
Typical TurnOff Delay Time
45 ns
Width
5.3 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95572 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 18924 шт.

IRFPS3810%40INFIN