IRFP90N20D

Купить со склада от 277,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 94А; 580Вт; TO247AC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
7.3429 грамм
IRFP90N20D

Анализ рынка IRFP90N20D@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
128
от 100
767,00 p
Склад
5
3
от 2
632,00 p
Склад
1-2
1484
от 1000
341,00 p
Склад
4
165
от 100
299,00 p
Склад
Сегодня
173
от 173
566,00 p
Склад
8
165
от 100
357,00 p

Технические характеристики IRFP90N20D

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
94 A
Rds On - Drain-Source Resistance
23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Qg - Gate Charge
180 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Brand
Infineon Technologies
Fall Time
79 ns
Forward Transconductance - Min
39 S
Height
20.7 mm
Length
15.87 mm
Pd - Power Dissipation
580 W
Rise Time
160 ns
Factory Pack Quantity
25
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
43 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
Width
5.31 mm
Part # Aliases
SP001552070
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95549 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 277.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 5167 шт.

IRFP90N20D%40INFIN