IRFP90N20D

Купить со склада от 134,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFP90N20D@INFIN PDF даташит
Масса товара:
8 грамм
IRFP90N20D фото 1 IRFP90N20D фото 1
IRFP90N20D фото 2 IRFP90N20D фото 2
IRFP90N20D фото 3 IRFP90N20D фото 3
IRFP90N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFP90N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
6040 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
94 A
Dimensions
15.87 x 5.31 x 20.70 mm
Gate Charge, Total
180 nC
Height
20.7 mm
Length
15.87 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-247AC
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
580 W
Resistance, Drain to Source On
0.023 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.26 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
43 ns
Time, Turn-On Delay
23 ns
Transconductance, Forward
39 S
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
200 V
Voltage, Diode Forward
1.5 V
Voltage, Drain to Source
200 V
Voltage, Forward, Diode
1.5 V
Voltage, Gate to Source
± 30 V
Width
5.31 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95549 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 134.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 47562 шт.

IRFP90N20D%40INFIN