IRFP3710

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFP3710@INFIN PDF даташит
Масса товара:
7 грамм
IRFP3710 фото 1 IRFP3710 фото 1
IRFP3710 фото 2 IRFP3710 фото 2
IRFP3710 фото 3 IRFP3710 фото 3
IRFP3710
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFP3710
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
3000 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
57 A
Dimensions
15.90 x 5.30 x 20.30 mm
Gate Charge, Total
190 nC
Height
20.3 mm
Length
15.9 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-247AC
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
200 W
Resistance, Drain to Source On
0.025 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
58 ns
Time, Turn-On Delay
14 ns
Transconductance, Forward
20 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 190 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
5.3 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95536 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 33589 шт.

IRFP3710%40INFIN