IRFL014N

Купить со склада от 28,90 руб

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 1,9А, 2,1Вт, SOT223, HEXFET®

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
1 грамм
IRFL014N

Анализ рынка IRFL014N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
31541
от 10000
86,20 p
Склад
29
27500
от 25000
46,80 p
Склад
5
43
от 10
32,40 p
Склад
1-2
4251
от 1000
36,20 p
Склад
3
10
от 10
29,40 p
Склад
4
1950
от 1000
33,40 p

Технические характеристики IRFL014N

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Single Dual Drain
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
4
Maximum Continuous Drain Current - (A)
2.7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
160@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
7@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
7
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
190@25V
Typical Output Capacitance - (pF)
72
Maximum Power Dissipation - (mW)
2100
Operating Temperature - (??C)
-55~150
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-223
Standard Package Name
SOT
Military
No
Automotive
No
обновлено 16-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95452 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 28.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 302049 шт.

IRFL014N%40INFIN