IRFIZ48N

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFIZ48N@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IRFIZ48N фото 1 IRFIZ48N фото 1
IRFIZ48N фото 2 IRFIZ48N фото 2
IRFIZ48N фото 3 IRFIZ48N фото 3
IRFIZ48N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFIZ48N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
1900 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
36 A
Dimensions
10.63 x 4.83 x 9.80 mm
Gate Charge, Total
89 nC
Height
9.8 mm
Length
10.63 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
54 W
Resistance, Drain to Source On
0.016 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
32 ns
Time, Turn-On Delay
11 ns
Transconductance, Forward
22 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 89 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
55 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
55 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
± 20 V
Width
4.83 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95448 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 47916 шт.

IRFIZ48N%40INFIN